论文研究场板结构对AlGa/NGaN HFET电场分布的影响 .pdf 上传者：weixin_39882200 2020-03-06 05:04:19上传 PDF文件 458.45KB 热度 21次 场板结构对AlGa/NGaNHFET电场分布的影响，王硕，张炜，随着化合物半导体功率器件的研究和发展，对于提高器件的耐压特性有着迫切的要求。场板结构可以有效的抑制横向型HFET器件栅极边缘�� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 收藏 腾讯 微博 用户评论 发表评论 weixin_39882200 资源：31108 粉丝：3 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
