基于SiGe HBT的射频有源电感设计

本文设计了四种结构的射频有源电感,其中包括两种正电感和两种负电感。研究结果表明由晶体管构成的有源电感的性能受晶体管的组态及偏置影响较大。四种电路结构中,由共射放大器与共集放大器级联反馈构成的有源电感性能较好。采用回转器原理实现的有源电感,电感值不随面积减小而减小。改变晶体管的偏置电压,有源电感具有可调谐性。这些工作对今后有源电感的设计和应用具有积极的指导意义。