基于SiGeHBT的射频有源电感的设计
本文采用两个晶体管构成回转器,利用晶体管内部本征电容合成电感。设计了采用不同组态的四种有源电感电路结构,并就其中一个性能较好的电路做了详细的讨论。最后采用Jazz0.35μmSiGeBiCMOS工艺,用射频仿真软件ADS进行了验证。
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