SiGe HBT 低噪声放大器的设计与制造

摘 要:该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA)。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构,所以可灵活调整不同反馈电阻,同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和低的噪声系数。 基于0.35 μm Si CMOS 平面工艺制定了放大器单芯片集成的工艺流程。为了进一步降低放大器的噪声系数,在制作放大器中SiGe 器件时,采用钛硅合金(TiSi2)来减小晶体管基极电阻。由于没有使用占片面积大的螺旋电感,终研制出的SiGe HBT LNA 芯片面积仅为0.282 mm2。测试结果表明,在工作频带0.2-1.2 GHz 内,LNA 噪声系数低至2.5 dB,