工业电子中的可承受10μs短路时间的大电流模块的650V IGBT4

1 引言 2003年,英飞凌公司提出了使用沟槽和场截止技术的600V IGBT3器件[1],该产品目前仍然是IGBT器件特性的标准。然而,这种600V IGBT3 主要适合小功率应用或者杂散电感很低的大功率应用。在器件开启及关断时,杂散电感与电流变化量的结合影响着器件的电压特性,可以表示为V=L·dI/dt。因此,如果器件关断时电感Lσ较大,过压就会很高。当前,为了给不同电路的大电流应用提供更多的选择,一种全新的芯片——650V IGBT4 已设计完成。 2 650V IGBT4的设计及技术 与600V IGBT3一样,新的650V IGBT4也是采用了沟槽的MOS-top-cell薄