杂散电感对高效IGBT4逆变器设计的影响

IGBT技术不能落后于应用要求。因此,英飞凌推出了最新一代的IGBT芯片以满足具体应用的需求。与目前逆变器设计应用功率或各自额定电流水平相关的开关速度和软度要求是推动这些不同型号器件优化的主要动力。这些型号包括具备快速开关特性的T4芯片、具备软开关特性的P4芯片和开关速度介于T4和P4之间的E4芯片。 表1简单介绍了IGBT的3个折衷点,并对相应的电流范围给出了建议。 当电流升高后,更高的杂散电感Ls不仅可以增大器件端子的电感压降(膗=-L*di/dt),而且还能影响电流上升速度di/dt本身。尽管寄生电感使导通速度减缓,但导通损耗却大幅降低。 在该示例中,初始开关阶段