元器件应用中的怎样用最小的代价降低MOS的失效率?

【前言】 在高端MOS的栅极驱动电路中,自举电路因技术简单、成本低廉得到了广泛的应用。然而在实际应用中,MOS常莫名其妙的失效,有时还伴随着驱动IC的损坏。如何破?一个合适的电阻就可搞定问题。 【问题分析】 上图为典型的半桥自举驱动电路,由于寄生电感的存在,在高端MOS关闭后,低端MOS的体二极管钳位之前,寄生电感通过低端二极管进行续流,导致VS端产生负压,且负压的大小与寄生电感与成正比关系。该负压会把驱动的电位拉到负电位,导致驱动电路异常,还可能让自举电容过充电导致驱动电路或者栅极损坏。由于IC的驱动端通常都有寄生二极管,当瞬间的大电流流过驱动口的二极管时,很可能引发寄生SCR