硅通孔技术(Through Silicon Via, TSV)技术是一项高密度封装技术,正在逐渐取代目前工艺比较成熟的引线键合技术,被认为是第四代封装技术。TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充,实现硅通孔的垂直电气互连。硅通孔技术可以通过垂直互连减小互联长度,减小信号延迟,降低电容/电感,实现芯片间的低功耗,高速通讯,增加宽带和实现器件集成的小型化。基于TSV技术的3D封装主要有以下几个方面优势: 1)更好的电气互连性能, 2)更宽的带宽, 3)更高的互连密度, 4)更低的功耗, 5)更小的尺寸, 6)更轻的质量。
