CMOS射频收发开关芯片设计 上传者：qq_24597 2020-09-01 03:06:30上传 PDF文件 221.3KB 热度 48次 设计了一种低插入损耗、高隔离度的全集成超宽带CMOS射频收发开关芯片。该电路采用深N阱体悬浮技术,在1.8V电压供电下,该射频开关收发两路在0.1-1.2GHz内的测试结果具有0.7dB的插入损耗、优于-20dB的回波损耗以及-37dB以下的隔离度。 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
