SiGeSi HBT的工艺技术研究

介绍了多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管制作工艺流程。通过对LPCVD 在n型Si衬底j二外延生长SiGe合金层作为异质结双极晶体管基区、自中止腐蚀工艺制作发射区 台面、多晶硅n型杂质掺杂工艺制作发射极、PtSi金属硅化物制作器件欧姆接触等工艺技术进行 研究,探索出关键工艺的控制方法,并对采用以上工艺技术制作的多晶硅发射极双台面SiGe/Si 异质结双极晶体管进行了,一y特性及频率特性测试。结果显示该器件饱和压降小,欧姆接触良 好,直流电流放大倍数口随,。变化不大,截止频率最高达到11.2 GHz。