论文研究 Control Action of Temperature on ULSI Silicon Substrate CMP Removal Rate an 上传者：Xieminsen 2020-07-23 17:44:58上传 PDF文件 154.22KB 热度 29次 温度对ULSI硅衬底化学机械抛光去除速率及动力学的控制研究，刘玉岭，牛新环，本文对材料表面化学机械高精密加工的动力学过程及控制过程进行了深入的研究。根据大量实验总结出了CMP的七个动力学过程，在ULSI衬�� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
