论文研究 Control Action of Temperature on ULSI Silicon Substrate CMP Removal Rate an 上传者：Xieminsen 2020-07-23 17:44:58上传 PDF文件 154.22KB 热度 12次 温度对ULSI硅衬底化学机械抛光去除速率及动力学的控制研究，刘玉岭，牛新环，本文对材料表面化学机械高精密加工的动力学过程及控制过程进行了深入的研究。根据大量实验总结出了CMP的七个动力学过程，在ULSI衬�� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论 Xieminsen 资源：19548 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
