论文研究 一种高压MOS器件栅极氧化层制程改善方法 .pdf
一种高压MOS器件栅极氧化层制程改善方法，许喆，，在0.25um以下的高阶制程中，通常使用蚀刻形成STI (Shallow Trench Isolation)浅沟槽的方式来达到元器件相隔绝的目的。由于制程能力的限制，STI
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