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多孔TiO2基底上CuInSe2(CIS)薄膜的电沉积制备

上传者: 2020-07-19 07:29:16上传 PDF文件 810.73KB 热度 15次
多孔TiO2基底上CuInSe2(CIS)薄膜的电沉积制备,杨靖霞,石勇,采用电化学沉积法,以硫酸铜、硫酸铟和二氧化硒为原料,在多孔TiO2基底上于沉积电位-1100mV成功沉积制备出CuInSe2薄膜。直接沉积的薄膜
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