多孔TiO2基底上CuInSe2(CIS)薄膜的电沉积制备 上传者：wang27404 2020-07-19 07:29:16上传 PDF文件 810.73KB 热度 35次 多孔TiO2基底上CuInSe2(CIS)薄膜的电沉积制备，杨靖霞，石勇，采用电化学沉积法，以硫酸铜、硫酸铟和二氧化硒为原料，在多孔TiO2基底上于沉积电位-1100mV成功沉积制备出CuInSe2薄膜。直接沉积的薄膜 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
