GaAs器件质子辐照效应模拟研究 上传者：_梧桐雨 2020-07-17 11:06:43上传 PDF文件 242.41KB 热度 41次 GaAs器件质子辐照效应模拟研究 ，李永宏，张力，本文利用Geant4软件模拟了质子入射GaAs MOSFET器件中产生的位移损伤效应，结果显示能量越高核反应过程越复杂，产生的PKA种类也越多，低� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
