论文研究 镀银时间对湿法化学刻蚀法制备硅纳米线阵列的影响

MACE（金属辅助化学蚀刻）方法由于具有创建高吸光性硅表面的能力而备受关注。 这种方法可以在像森林的硅表面上生成许多圆柱状的微观结构，这被称为“硅纳米线阵列”。 通过增加光的传播路径，该结构可以显着抑制在400 nm至近红外1800 nm波长范围内的反射和透射。 本文通过湿法化学刻蚀制备了大面积有序硅纳米线阵列。 结果表明，通过改变镀银时间，可以用给定方向的单晶硅制造具有不同形态的SiNWs（硅纳米线）阵列。 获得了在宽带波长和入射角下出色的抗反射性能。 此类SiNW的制备方法和在光电检测领域的潜在应用具有重要的价值，可为该领域的进一步研究提供参考。