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基片温度对FTO导电玻璃上沉积GaN薄膜性能的影响

上传者: 2020-07-19 04:16:14上传 PDF文件 554.53KB 热度 36次
基片温度对FTO导电玻璃上沉积GaN薄膜性能的影响,于博,秦福文,利用电子回旋共振等离子增强金属有机化合物气相沉积(ECR-PEMOCVD),三甲基镓(TMGa)和氮气分别作为反应源,改变基片沉积温度,在FTO导�
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