论文研究 Stress Electric Field Dependent TDDB Characteristics of Ultra Thin HfN/HfO2
超薄HfO2高K栅介质中电场依赖的时变击穿（TDDB）特性 ，杨红，萨宁，本文利用高温工艺制备了等效氧化层厚度（EOT）小于0.9纳米的超薄HfO2高K栅介质MOS器件，研究了其时变击穿（TDDB）特性。结果显示，其TDD
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