论文研究 Stress Electric Field Dependent TDDB Characteristics of Ultra Thin HfN/HfO2 上传者：wsrwsrriri 2020-07-18 09:08:20上传 PDF文件 292.64KB 热度 10次 超薄HfO2高K栅介质中电场依赖的时变击穿（TDDB）特性 ，杨红，萨宁，本文利用高温工艺制备了等效氧化层厚度（EOT）小于0.9纳米的超薄HfO2高K栅介质MOS器件，研究了其时变击穿（TDDB）特性。结果显示，其TDD 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论 wsrwsrriri 资源：19545 粉丝：2 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
