论文研究Interfacial Reaction Induced PBTI and NBTI Characteristics in the HfN/HfO2 G 上传者：weixin_39882200 2020-02-19 06:05:43上传 PDF文件 523.69KB 热度 15次 低原生缺陷密度的HfN/HfO2高K栅结构中界面反应导致的PBTI和NBTI特性，萨宁，杨红，本文利用高温工艺制备了HfN/HfO2高K栅介质的n-FETs和p-FETs，内含原生缺陷密度较低，分别研究了正偏压-温度不稳定特性和负偏压-温度不稳� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论 weixin_39882200 资源：31108 粉丝：3 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
