论文研究Interfacial Reaction Induced PBTI and NBTI Characteristics in the HfN/HfO2 G

Name: 论文研究Interfacial Reaction Induced PBTI and NBTI Characteristics in the HfN/HfO2 G
Rating: 4.5 (35 reviews)
Author: weixin_39882200

上传者：weixin_39882200 2020-02-19 06:05:43上传 PDF文件 523.69KB 热度 35次

低原生缺陷密度的HfN/HfO2高K栅结构中界面反应导致的PBTI和NBTI特性，萨宁，杨红，本文利用高温工艺制备了HfN/HfO2高K栅介质的n-FETs和p-FETs，内含原生缺陷密度较低，分别研究了正偏压-温度不稳定特性和负偏压-温度不稳�

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