MBE生长Be掺杂GaAs光学特性及硫钝化处理研究 上传者：qq_67490 2020-07-17 17:58:24上传 PDF文件 682.35KB 热度 44次 MBE生长Be掺杂GaAs光学特性及硫钝化处理研究，贾慧民，王彪，采用分子MBE生长Be掺杂GaAs光学特性及硫钝化处理研究束外延(MBE)技术在半绝缘GaAs衬底上外延获得表面形貌均匀，晶体质量较好，掺杂浓度 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
