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MBE生长Be掺杂GaAs光学特性及硫钝化处理研究

上传者: 2020-07-17 17:58:24上传 PDF文件 682.35KB 热度 23次
MBE生长Be掺杂GaAs光学特性及硫钝化处理研究,贾慧民,王彪,采用分子MBE生长Be掺杂GaAs光学特性及硫钝化处理研究束外延(MBE)技术在半绝缘GaAs衬底上外延获得表面形貌均匀,晶体质量较好,掺杂浓度
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