铟钕掺杂钽酸锂单晶的生长及光学性能

采用提拉法生长了双掺杂钕离子(Nd3+)和铟离子(In3+)的同成分LiTaO3单晶。测量了该单晶的紫外-可见光吸收光谱, 分析了该晶体的缺陷结构, 得到了铟离子的掺杂浓度阈值。当铟离子掺杂浓度达到该阈值时, In∶Nd∶LiTaO3晶体的抗光损伤能力显著增强。铟离子取代晶体中的反位TaLi4+, 使晶体光电导增大, 减弱了光折变效应。In∶Nd∶LiTaO3晶体在光波长0.808 μm处的吸收峰的半峰全宽为15 nm, 吸收截面为5.26×10-21 cm2。采用0.808 μm半导体激光作为抽运源, 钕离子在光波长1.06 μm处出现强烈的荧光带。这些研究结果表明, In∶Nd∶LiTaO