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Bi掺杂GaAs电子结构和光学性质的理论研究

上传者: 2020-05-04 15:25:00上传 PDF文件 370.51KB 热度 24次
Bi掺杂GaAs电子结构和光学性质的理论研究,李奕,章永凡,采用基于赝势平面波的第一性原理方法,研究了未掺杂和Bi掺杂GaAs晶体的电子结构,以及掺杂前后GaAs晶体的复介电函数和复折射率函数�
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