论文研究 通过中尺度结的射频场驱动电子隧穿

在此报告了一项研究的初步结果，该研究调查了在中等低温（LN2）下用相干低强度（-50至-10 dB）脉冲微波RF场辐照的介观隧道结。 通过在77-100 K左右的低温下相干辐射场，通过制造的中尺度间隙结观察到了电子的量子隧穿。该隧穿电流被认为是跨结施加的微波场的结果，可与散粒噪声和电阻效应区分开。 隧穿行为的形式不会导致任何电导量化效应，该效应可能将结表现为量子点接触（QPC），因此可以推测该现象是纯低强度RF场诱导的电子在中尺度结上的隧穿低温。