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研究界面电荷对GaN共振隧穿二极管隧穿特性的影响

上传者: 2020-03-02 08:19:25上传 PDF文件 466.84KB 热度 27次
研究界面电荷对GaN共振隧穿二极管隧穿特性的影响,张红英,王基庆,本文采用非平衡格林函数方法研究了低温下界面电荷对Al0.15Ga0.85N/GaN/Al0.15Ga0.85N共振隧穿二极管的I-V性能的影响。研究发现:共振隧穿能�
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