单晶半导体材料制备技术.ppt

水平Bridgman法（horizontal Bridgman method ），最早用于Ge单晶。属于正常凝固。 原料（如Ge粉）放入石英舟，石英舟前端植入籽晶（单晶体），推入炉内使原料熔化，籽晶不熔。石英舟内Ge粉完全熔融并与籽晶良好润湿时，缓慢将其向外拉出。使其顺序冷凝成晶锭。