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Vacuum Field emission characteristics of HfOxNy films prepared by sputtering

上传者: 2020-07-17 02:55:20上传 PDF文件 420.18KB 热度 20次
溅射制备HfOxNy薄膜的真空场发射性质,蒋然,张燕,HfOxNy 薄膜室温溅射沉积在p型Si(100)衬底上。 使用FTIR和XRD方法研究了样品在不通退火温度下的成分和结构变化。研究了不通N含量和退�
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