迈向(3 + 1)d晶格规理论和拓扑阶段的双自旋网络基础

使用最新策略将具有串状缺陷的三歧管上的平面连接空间编码为所谓的2Heegaard曲面上的平面连接空间，我们提出了一种新颖的方法来定义（3+1）d晶格规范理论和拓扑相规范模型。特别地，该方法重构了自旋网络基础，并产生了新颖的双重自旋网络基础。尽管自旋网络的基础允许根据电激发来解释状态，但在消失的电场上急剧锐化的真空之上，双自旋网络的基础是在电磁场急剧锐化的真空之上描述的磁（或曲率）激发。消失的磁场（或扁平连接）。此技术也适用于有边界的歧管。我们特别区分了一对边界条件，即电类型和磁类型。这可以用来考虑Ocneanu管代数的一般化，以揭示与某些3d流形相关的激发的代数结构。