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凹型掺杂层位置对GaN Gunn diode输运区中深能级缺陷分布影响

上传者: 2020-06-03 13:20:57上传 PDF文件 438.68KB 热度 12次
凹型掺杂层位置对GaNGunndiode输运区中深能级缺陷分布影响,李亮,杨林安,本文首先通过Transmissionelectronmicroscopy(TEM)研究了凹形掺杂层位置对输运区长度1um的GaNGunndiode中刃位错分布的影响。相比顶部凹形槽掺�
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