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论文研究H ISFET的温度特性及补偿 .pdf

上传者: 2019-09-20 07:05:30上传 PDF文件 265.96KB 热度 20次
H-ISFET的温度特性及补偿,许姗,童敏明,本文通过研究氢离子敏场效应传感器(H-ISFET)的物理化学结构特性得到它的温度特性,总结出它极易产生温度漂移的特点。针对这个缺�
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