元器件应用中的隧穿二极管

隧穿二极管是1958年由日本的L.Esaki提出的,也叫f江崎二极管”。隧穿二极管是PN结二极管的一种特殊形式,其半导体材料的载流子掺杂浓度为每立方厘米10(19)或1020个原子,这是普通的PN结二极管的1O~1000倍。由耗尽区形成的势垒特别薄,为3~100A,或10cm。隧穿二极管的工作原理基于量子力学的隧穿效应,它是一种多数载流子的现象。一般而言,反向偏置时,PN结器件的电子没有足够的能量来穿越由耗尽区所产生的势垒。这种情况称为电子被陷在“势阱”中。因此,在这种情况下,理论上电流为零。但是如果载流子足够多,耗尽区足够薄,就会发生隧穿效应。电子会在势垒的一端(也就是,势阱里面)消失而出现