STM32F407VET6数据手册下载中文资料
表86显示了NOR/PSRAM存储块选择与HADDR的关系。对于需要转换到外部存储器的内部AHB地址线的HADDR，HADDR[25:0]包含外部存储器地址。HADDR是字节地址，而存储器访问不都是按字节访问，因此接到存储器的地址线依存储器的数据宽度有所不同。下表详细描述了不同数据宽度下外部存储器地址的连接情况：
| 数据宽度 | HADDR 连接方式 | 存储空间大小 |
| -------- | --------------------------------------- | --------------------------- |
| 8位 | HADDR[25:0] 与 FSMC_A[25:0] 对应相连 | 64M字节 x 8 = 512 M位 |
| 16位 | HADDR[25:1] 与 FSMC_A[24:0] 对应相连，HADDR[0] 未接 | 64M字节/2 x 16 = 512 M位 |
对于16位宽度的外部存储器，FSMC将在内部使用HADDR[25:1]产生外部存储器的地址FSMC_A[24:0]。不论外部存储器的宽度是多少（16位或8位），FSMC_A[0]始终应该连到外部存储器的地址线A[0]。更详细的解释请参阅SST39VF160Nor Flash数据手册。
NOR闪存和PSRAM的非对齐访问支持每个NOR闪存或PSRAM存储器块都可以配置成支持非对齐的数据访问。在存储器一侧，依据访问的方式是异步或同步，需要考虑两种情况：
-
异步模式：这种情况下，只要每次访问都有准确的地址，完全支持非对齐的数据访问。
-
同步模式：这种情况下，FSMC只发出一次地址信号，然后成组的数据传输通过时钟CLK顺序进行。某些NOR存储器支持线性的非对齐成组访问，固定数目的数据字可以从连续的以N为模的地址读取(典型的N为8或16，可以通过NOR闪存的配置寄存器设置)。此种情况下，可以把存储器的非对齐访问模式设置为与AHB相同的模式。如果存储器的非对齐访问模式不能设置为与AHB相同的模式，应该通过FSMC配置寄存器的相应位禁止非对齐访问，并把非对齐的访问请求分开成两个连续的访问操作。更多关于非对齐访问模式的信息可以参考NOR_Flash存储器介绍及编程。
在19.4.2节中，NAND和PC卡地址映像被详细讨论。三个存储块可以用于NAND或PC卡的操作，每个存储块被划分为不同的访问空间，如表88所示。对于NAND闪存存储器，通用和属性空间又可以在低256K字节部分划分为三个区：数据区、命令区和地址区。有关NAND闪存的更详细信息，可以查阅NAND_Flash存储器的区别和NAND闪速存储器的时序。
