1700V SiC MOSFET碳化硅功率器件（内阻750毫欧、20毫欧）

1700V SiC MOSFET是一种国产的碳化硅功率器件，专为高压电源应用而开发。该器件具有高耐压能力，极低的栅极电荷，以及小型化的导通电阻Rds(on)。它广泛适用于工业电机驱动、光伏、直流充电桩、储能变换器以及UPS等三相功率变换系统中的辅助电源设计。使用该器件可以提高辅助电源系统的效率、简化驱动电路设计，降低散热成本，并大幅度减少辅助开关电源成本。此外，该器件也非常适合工业领域对耐压和雪崩等级有更高要求的设计，以及对高频特性要求较高的应用。由于其高频特性，电路中的磁性单元可以更小、更轻。另外，器件的反向恢复时间“零”特性可以显著降低开关损耗，并且热传导系数也更优异，让工程师在散热方面更加轻松。