电源技术中的开关电源转换器高性能碳化硅(SiC)功率半导体器件

进入21世纪,开关电源技术将会有更大的发展,这需要我国电力电子、电源、通信、器件、材料等工业和学术各界努力协作,沿着下述方向,开发与开关电源相关的产品和技术。 碳化硅SiC是功率半导体器件晶片的理想材料,其优点是禁带宽,工作温度高(可达600°C)、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、DNI结耐压高等,有利于制造出耐高温的高频大功率的半导体开关器件,如SiC功率MOSFET和SiC IGBT等。 来源:ks99