面向 3G基站的基于专用晶体管（带综合偏置）的非对称Doherty技术

面向3G基站的基于专用晶体管（带综合偏置）的非对称Doherty技术面向3G基站的基于专用晶体管（带综合偏置）的非对称Doherty技术作者：飞思卡尔Jean-JacquesBOUNY地址：FreescaleSemiconductor,134av.Eisenhower,B.P.72329,31023ToulouseCedex1,France摘要―随着Doherty放大器已经成功地广泛部署到蜂窝电话基站中，因此现在我们应考虑如何使用特定的专用器件提高整个放大器的性能并缩减成本。我们将在文中介绍由飞思卡尔半导体开发的一组专用LDMOS晶体管。该产品将用于非对称Doherty拓扑，在这个拓扑中，载流子（主）晶体管包括一个综合AB类偏置，而峰化（从）晶体管则包括一个综合C类偏置。两种晶体管采用相同封装，但输出功率有1dB的差异，以提高Doherty的整体效率，并构建56dBm(400W)峰值功率放大器。文中还将介绍支持CW和3G信号的整个Doherty放大器的设计和测量，显示该解决方案相对于使用经典“AB类优化”晶体管的常规对称Doherty放大器的优势。术语索引―3G，Doherty，功率放大器，偏置I.介绍常规对称Doherty[1]放大器现已在蜂窝基站中广泛使用。设备生产商采用最初为AB类准线性应用设计的常规器件，证明了这些解决方案的可行性和线性化特征。下一步将是改进解决方案。现在设备生产商应当提供专用组件，以提高性能，改善“使用的便利性”，降低放大器级的成本。飞思卡尔半导体针对2.11GHz-2.17GHz频段的3G市场的方案是，提供包含2个专用LDMOS[2]器件的芯片集，