用于GaN HEMT的80 nm非对称T形栅极的纳米加工

本文解决了基于AlGaN / GaN的高电子迁移率晶体管中经常出现的电流崩溃问题,该问题是由栅极边缘周围器件表面上的峰值电场引起的,当栅极长度缩小至100nm以下时,该问题会加剧。频率运行。 为提高器件性能,基于我们的器件仿真结果,提出了一种具有不对称臂的T形栅极的新配置。.开发了3D灰度电子束光刻技术,以制造各种形状的不对称T形栅极。门配置的技术上可行。 在这项工作中发展出的非对称T形栅极在一定程度上可以有效地抑制栅极边缘的电场,并减小栅极和漏极之间的寄生电容,从而导致更高的工作频率。 希望将这种栅极应用到基于GaN的HEMT上,以实现用于高频工作的高击穿电压。