IGBT行业报告:持续涨价对相关企业影响几何

功率半导体器件包括功率半导体分立器件及功率集成电路,功率半导体分立器件可进一步分为功率二极管、功率晶体管和晶闸管类器件,其中功率晶体管包括MOSFET、IGBT及BJT等具体类型。 IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管,由功率二极管、晶闸管、BJT、MOSFET发展而来,其结合了MOSFET和BJT两种器件的优点。BJT特点为通态压降小,载流能力大,但驱动电流较大;而MOSFET驱动功率小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT结合以上两种器件的特点,在通态压降和开关时间之间形成较好平衡,同时导通损耗和开关损耗之和达到较小状态,具备了高频率、大电流密度及高电压能力等特性,广泛应用于600