单层MoS

采用基于第一性原理的贋势平面波方法,对比研究未掺杂和分别掺杂非金属P、半导体Si 及金属Al 的单层MoS2的电子结构和光学性质。计算结果表明:掺杂均转变为p 型半导体且导带向低能方向显著偏移,带隙减小,掺P和Si 由K 点转变为Γ 点直接带隙、掺Al 形成K -Γ 间接带隙半导体;通过态密度和布局分析得出:掺杂改变载流子的浓度及杂质原子与S-3p、Mo-4d 形成的杂化轨道,对光学性质产生相应影响,其中掺Al 对MoS2 的光学性质影响最为显著,可增大MoS2的静态介电常数、折射率n0,降低能量损失。