应变作用下单层MoS2的带隙工程:DFT研究 上传者:woshixjw39073 2021-04-06 04:19:14上传 PDF文件 1.01MB 热度 19次 在本文中,通过分析结构参数:带隙,态密度(DOS)和米利肯电荷,使用密度泛函理论计算来研究单层MoS2的应变。 计算表明,增加的外部污点趋于降低具有较小SS夹层间距的波纹结构,并增大Mo-S键的长度。 拉伸应变极大地改变了带隙。 但是,压缩应变几乎没有。 带隙的变化通过对DOS,状态部分密度(PDOS),结构参数和Mulliken电荷分布的分析来解释。 应变对Mulliken电荷和Mo-S带长度的影响导致在拉伸和压缩应变下的带隙差异。 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论 woshixjw39073 资源:421 粉丝:0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台,下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容!联系邮箱:server@dude6.com