低压化学气相沉积过程中毫米级单晶石墨烯合成中的铜丘和石墨烯晶粒演化

研究了低压化学气相沉积(LPCVD)在毫米级单晶石墨烯生长过程中石墨烯晶粒下Cu丘的演变。 我们观察到随着石墨烯晶粒尺寸的增加,Cu坡度下降的行为。 这表明在接近铜熔点的生长温度下,山丘发生了自扁平化过程。 尤其是一旦石墨烯颗粒融合,山丘几乎就完全被夷为平地。 还研究了石墨烯晶粒的树枝状结构的演变。 已发现,随着CH4流量的逐步增加,树枝状结构中的分支间边界可以得到修复。 拉曼2D谱带的蓝移,其中拉曼采样点从晶粒中心移动到边缘,这证实了由于晶界间边界的愈合,晶体质量得到了改善。