低压化学气相沉积中石墨烯在三氯化铁溶液浸泡的铜基板上的生长行为

引入了用FeCl3溶液浸泡铜基板的方法,以显着降低石墨烯的初始成核密度(从0.29到0.05 mm(-2)最多增加6倍),并且成功地提高了整个石墨烯的覆盖率。 成核密度的降低归因于根据X射线光电子能谱结果,用FeCl3溶液处理后铜的氧化。 浸泡处理导致在化学气相沉积过程中表面更粗糙,并因此导致明显的表面形态重建。 通过浸泡在FeCl3溶液中对铜基板进行预处理是控制石墨烯生长的一种简单且经济的方法。 最重要的是,该技术与石墨烯的常规构图技术兼容。