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绝缘体上锗(GeOI)pMOSFET的空穴迁移率的物理模型

上传者: 2021-04-24 19:24:59上传 PDF文件 127.76KB 热度 15次
绝缘体上锗(GeOI)pMOSFET的空穴迁移率的物理模型
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