具有阶梯掩埋氧化物的复合掩埋层SOI高压器件

提出了一种在复合掩埋层(CBL)上具有阶梯掩埋氧化物(SBO CBL SOI)的绝缘体上硅(SOI)高性能横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)。 阶梯式掩埋氧化物位于上掩埋氧化物(UBO)层的顶部界面中的Kong中。 此外,在多晶硅层和下部埋入氧化物(LBO)层之间的界面中收集有高密度的空穴。 结果,通过这些Kong增强了薄LBO和厚UBO两者中的电场,从而导致了击穿电压的提高。 SBO CBL SOI LDMOS的击穿电压从具有相同厚度的SOI层和掩埋氧化物层的常规SOI的477 V增加到847V。 而且,SBO CBL SOI还可以降低自热效应。