优化用于生长基于GaAs的高铟含量InGaAs光电探测器的InAlAs缓冲液

研究了缓冲方案对气体源分子束外延生长在GaAs衬底上的具有较高晶格失配(5.9%)的In0.83Ga0.17As光电探测器结构的应变弛豫和结构特性的影响。与固定组成的In0.83Al0.17As缓冲液相比,In0.83Al0.17As光电探测器结构的表面粗糙度降低,X射线衍射信号的半峰全宽和螺纹位错以及光致发光强度均得到了提高对于那些具有连续分级InxAl1-xAs缓冲器的用户。研究了固定组成的In0.83Al0.17As缓冲层的作用,并且认为在初始生长阶段,一对In0.83Al0.17As单层可以通过在量子点处形成量子点来提供高密度的成核位点。界面,从而减少了In0.83Al0.17As和GaAs之间较大的晶格失配所引起的应变能。