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MOS管反峰与RCD吸收回路的解析

上传者: 2021-04-21 08:58:18上传 PDF文件 69.55KB 热度 16次
对于一位开关电源工程师来说,在一对或多对相互对立的条件面前做出选择,那是常有的事。而我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。(即要限制主MOS管反峰,又要RCD吸收回路功耗) MOS管是金属(metal)-氧化物(oxid)-半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 RCD旋转控制装置,一种应用用石油钻井行业的特殊设备,一般应用于欠平
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