电源技术中的反激变换器的RCD吸收回路设计实例

在这部分展示一个实例,适配器采用FSDM311,工作规范AC85~265V的输入电压范围。10W 输出功率、5V输出电压、67 kHz的开关频率。此时,RCD吸收回路选择1 nF吸收电容,480kΩ吸收电阻,图1示出波形。 漏电压(Vds 200V/div)、电源电压(VCC 5V/div)、反馈电压(Vfb 1V/div)、漏电流(Id 0.2A/div)按下面次序,内部MOSFET最大电压应为675V,数据表中给出为 650V。超出此值有二个原因,其一是变压器设计不当;其二是吸收回路设计不当,1 nF 电容和480k0电阻的稳态波形如图2 所示,给出比较正确的结果。 如上所述,