由于AlGaN / AlN / GaN异质结构中的位错和界面粗糙度而导致的迁移率限制

分别通过透射电子显微镜(TEM)和原子力显微镜(AFM)分析了AlGaN / AlN / GaN异质结构中的位错和表面粗糙度,并使用AFM研究了二维电子气(2DEG)中的迁移率限制机制。考虑到最重要的散射机制的理论模型。 指数相关函数比高斯形式更好地描述了表面粗糙度的统计特性,因此在理论模型中被采用。 计算结果与霍尔数据吻合良好。 位错和表面粗糙度的定量测量可以评估每种外在散射机制的相对重要性。