基片的SOl氧注入分离法

氧注入分离法是将大量的氧离子注入到单晶硅片表面一层薄膜之下,对于大批量生产很有意义。虽然其工艺概念较简单,但是对于器件级的SOl来说,其工艺冗余度却比较低。 我们通过注入剂量,即每平方厘米注入到基片中的离子数来描述注入的总离子数。一般在SIMOX中需要总的注入剂量通常为>1018cm-2,而通常CMOS工艺中的注入剂量为1016cm-2,较SIMOX要小2个数量级。 氧离子以200 keY的能量注入到硅中,这个能量决定了氧化层的深度和表层硅的厚度。在低剂量注入的情况下,二氧化硅一般为高斯分布,而在高剂量注入并退火后,二氧化硅分布较均匀,可以认为它与上下两硅层之间是突变的。 由