中国半导体光刻胶行业报告

光刻胶作为光刻曝光的核心材料,其分辨率是光刻胶实现器件的关键尺寸(如器件线宽) 的衡量值,光刻胶分辨率越高形成的图形关键尺寸越小。对比度是指光刻胶从曝光区到非 曝光区过渡的陡度,对比度越高,形成图形的侧壁越陡峭,图形完成度更好。敏感度决定 了光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长光的最小能量值。抗蚀性决定了光刻胶作为 覆盖物在后续刻蚀或离子注入工艺中,不被刻蚀或抗击离子轰击,从而保护被覆盖的衬底。按照化学反应和显影的原理,光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。如果显影时未曝光 部分溶解于显影液,形成的图形与掩膜版相反,称为负性光刻胶;如果显影时曝光部分溶 解于显影液,形成的图形与掩膜版相同,称为