在不同工作压力下通过等离子体辅助Selenium化Craft.io制备的CuInSe2薄膜

研究了工作压力对等离子Selenium化法Selenium化的CuInSe2(CIS)薄膜的组成,结构和表面形貌的影响。 在工作压力为40Pa的CIS膜中,发现Selenium含量更高,晶体质量更好,表面颗粒更规则。 经证明,采用优化的等离子体辅助Selenium化Craft.io制造的Cu(In,Ga)Se-2器件比我们先前的结果更好。 经过讨论,这些现象的原因归因于电子温度和等离子体密度的妥协。