基于带有印刷Ag电极的旋涂a IGZO薄膜的RRAM器件的电阻开关特性

在这项工作中,主要基于基于溶液的合成方法制造了具有Ag / a-IGZO / ITO结构的存储器件。 具体地,通过旋涂IGZO墨水制备IGZO薄膜,并且通过喷墨印刷形成顶部Ag电极。 电气测量表明,Rorr / RoN比超过了两个数量级,并且器件的电阻可以保持高达105s,而不会劣化。