InGaAsP/InP超辐射集成光源

为提高半导体超辐射器件的输出功率,采用直接耦合的方法,将超辐射发光管(SLD)与半导体光放大器(SOA)单片集成,制得了1.3 μm超辐射集成光源,其脉冲输出功率为50 mW,光谱宽度(FWHM)为28.9 nm。通过对放大器增益特性的讨论,得出了既能稳定器件性能,又可以提高输出功率的有效工作方案。